IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明

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上传日期: 2020-09-10

上 传 者: DJH1884 (他上传的所有资料

资料介绍

标签:驱动电路(796)晶体管(2531)IGBT(1158)

  本文档的主要内容详细介绍的是IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明包括了:IGBT 的基本结构,IGBT 的工作原理和工作特性,IGBT 的擎住效应和安全工作区,IGBT 的驱动与保护技术,集成 IGBT 驱动电路 EXB841 l,EXB841 原理分析,使用 IGBT 中的注意事项和 EXB841 典型应用电路

  绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电 工委员会 IEC / TC ( CO ) 13 3 9 文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。

  图 2 - 53 所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N + 区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N + 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的 P 型区(包括 P + 和 P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的 P + 区称为漏注入区( Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

  为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。

  现在,大电流高电压的 IGBT 已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的 IGBT 专用驱动电路。其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。

 

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